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産業技術総合研究所エレクトロニクス・製造領域 電子光基礎技術研究部門 Research Institute for Advanced Electronics and Photonics   お問い合わせ アクセス ENGLISH HOME 部門長あいさつ 部門概要 組織 研究グループ グループ一覧 先進プラズマプロセスグループ 先進レーザープロセスグループ 分子集積デバイスグループ 化合物半導体デバイスグループ 超伝導エレクトロニクスグループ 強相関エレクトロニクスグループ メゾスコピック材料グループ 研究成果 プレスリリース 展示パネル 論文・特許 イベント・講演会 人材募集 契約職員 研究職員 MENU HOME 部門長あいさつ 部門概要 組織 研究グループ グループ一覧 先進プラズマプロセスグループ 先進レーザープロセスグループ 分子集積デバイスグループ 化合物半導体デバイスグループ 超伝導エレクトロニクスグループ 強相関エレクトロニクスグループ メゾスコピック材料グループ 研究成果 プレスリリース 展示パネル 論文・特許 イベント・講演会 人材募集 契約職員 研究職員 産総研  > 組織 > 電子光基礎技術研究部門 > 先進プラズマプロセスグループ 研究グループ 光プロセス技術 先進プラズマプロセス 先進レーザープロセス 分子集積デバイス 新原理エレクトロニクス 化合物半導体デバイス 超伝導エレクトロニクス 強相関エレクトロニクス メゾスコピック材料 グループ概要 先進プラズマプロセスグループ 研究目標 先進プラズマプロセス技術の高度制御による革新的な省エネルギー・低環境負荷エレクトロニクスデバイスの開発と成果の社会還元、及び、安心・安全な超高齢化社会実現への貢献を目標としています。 重点研究 1．新規プロセス技術（窒化物系材料、カーボン系材料、表面処理・パッシベーション等） 　1-1. 準大気圧環境下における低温高密度窒素系活性種生成 　　・高効率緑色・赤色LED素子開発 　 　　・半導体の窒素パッシベーション技術の開発 　 　1-2. 大気圧・ダメージレス低温プロセスによる大面積・高速表面処理 (図1参照)　 　1-3. カーボン系材料開発 　 　　・高品質グラフェンの低温成膜（高集積・薄膜型電子デバイス用の高性能放熱材及び熱伝導路集積回路） 　　・炭素プラズマ源等の長時間放電 　1-4．高出力緑色レーザーの開発 　 　　・数値解析によるモデル構築 （レーザーによる酸化物光学材料の欠陥生成と特性評価） 　1-5．半導体プラズマプロセスの診断・制御と欠陥低減（図２参照） 　　・プロセス中における欠陥のオペラント検出技術の開発 　　・欠陥低減による半導体材料（活性層・パッシベーション膜）の高品質化 　　・シリコン系薄膜材料の新規応用開拓 2．ライフサイエンス系研究開発 　　・外科手術用低侵襲プラズマ止血機器の橋渡し研究（図３参照） 　　・国際標準化研究（IEC / TC 62 - SC 62D ） 　　　 Low energy ionized gas haemostasis equipment 　　・低温・高反応プラズマプロセスによる剤型加工技術開発 　　・近赤外イメージング素子開発 　　・中性子捕捉療法用低毒性ボロン製剤の生成 3．萌芽研究開発 　　・プラズマによる物質の帯電制御に関する研究 　　・超小型人工衛星用超小型プラズマ推進器の開発 図1：高速・大量処理・安価・低電力・コンパクト・長寿命、かつ様々なガスの低温プラズマ処理が可能な次世代プロセスツール（繊維、プラスチック、紙、粉末、インク、金属、半導体材料等を処理することにより、接着性向上、印刷性改善、濡れ性改善、メッキ前処理、クリーニング、分散性改善、酸化膜還元、及び炭素系成膜を行う）。 図２:半導体プラズマプロセスの診断装置例（プローブ、発光分光、質量分析、吸収分光等の手法を用いて半導体プラズマを診断。分光エリプソ、FTIR、ポンプ・プローブ欠陥検出技術を用いて、シリコンウエハ表面の欠陥や電気的光学的特性をオペラント評価。） ライフサイエンス系研究開発 図3：外科手術用低侵襲プラズマ止血機器 保有技術 低気圧・中間気圧・大気圧プラズマ生成技術、固体元素由来プラズマ生成技術、イオンビーム技術、数値シミュレーション技術、計測技術 低気圧・中間気圧・大気圧プラズマ装置、ラマン顕微分光器、デジタルマイクロ顕微鏡、薄膜低抵抗測定器、表面エネルギー測定器、スピンコート、プラズマ分光器（紫外・可視・近赤外域）、質量分析器、赤外線カメラ、イオンビーム装置、YAGレーザー、高電圧電源　等 シリコン系成膜装置（特定高圧ガス消費設備）、無機ドラフトチャンバー、QSSPC（キャリアライフタイム測定装置）、サブギャップ光吸収装置、ポンププローブ欠陥評価装置 主要特許・論文 発明名称：プラズマ照射処理装置　WO2012/005132(2012/01/12). 発明名称：プラズマ照射処理装置の作動方法及び物質にプラズマ照射する方法　特 5828464、2015/10/30. 発明名称：マイクロ波プラズマ処理装置　PCT/JP2014/072779 (WIPO) 2014. 発明名称：窒素化合物の製造方法及び製造装置、特 6590420、2019/09/27. 発明名称：パッシベーション膜、パッシベーション膜付半導体基板、パッシベーション膜の成膜方法、及びパッシベーション膜付半導体基板の製造方法、特願2021-068115. 発明名称：窒素化合物の製造方法及び製造装置、特願2021-166589、2021/10/11. 発明名称：リチウムイオン二次電池用負極材及びその製造方法、並びにリチウムイオン二次電池，特願2022--067089、2022/04/14 H. Sakakita, H. Yamada, T. Shimizu, M. Fujiwara, S. Kato, J. Kim, S. Ikehara, N. Shimizu, Y. Ikehara, Effects of electric charges on serum protein aggregation induced by a low temperature atmospheric pressure plasma, J. Phys. D: Appl. Phys. 54, 215201 (2021). H. Sakakita, T. Shimizu and Y. Ikehara, Reviews of low-temperature atmospheric pressure plasma for studying hemostasis and international standardization, Jpn. J. Appl. Phys. 60 (2021) 020502. H. Sakakita, et al., Electrical characteristics of a low temperature atmospheric-pressure helium plasma jet, AIP Advances 11 (2021) 015323. H. Sakakita, N. Kumagai, T. Shimizu, J. Kim, H. Yamada, X-L. Wang, Ammonia-free epitaxy of single-crystal InN using a plasma-integrated gas-injection module, Applied Materials Today 27, 101489 (2022). G. Chen, T. Tsuji, M. Yamada, J. He, Y. Shimizu, H. Sakakita, K. Hata, D. Futaba, S. Sakurai, Multi-step chemical vapor synthesis reactor based on a microplasma for structure-controlled synthesis of single-walled carbon nanotubes, Chemical Engineering Journal 444, 136634 (2022). N. Kumagai, H. Itagaki, J. Kim, S. Hirose, H. Sakakita, X-L. Wang, Comprehensive characterization of low-damaged GaN surface exposed to NH3 plasma toward plasma-induced metalorganic chemical vapor deposition, Applied Surface Science 591, 153150 (2022). S.Kato, S.Kurimura, and N.Mio, Influence of thermal stress on continuous-wave second-harmonic generation in periodically poled LiTaO3 crystals, Opt.　Express 30, 21258 (2022). T. Shimizu, K. Kikunaga, S. Katom and H. Sakakita, Potential formation on floating metal plate treated by low-temperature atmospheric pressure plasma jet，J. Electrostat. 117, 103715 (2022). T. Shimizu, T. Fukui, and H. Sakakita, Albumin aggregation using low-temperature atmospheric pressure helium plasma jet in argon and air atmosphere，Jpn. J. Appl. Phys. 61-SI, SI1016 (2022). S. Nunomura, A review of plasma-induced defects: Detection, kinetics and advanced management，J. Phys. D: Appl. Phys. 56-，363002, (2023). S. Nunomura, H. Ota, T. Irisawa, K. Endo, and Y. Morita, Defect generation and recovery in high-k HfO2/SiO2/Si stack fabrication，Applied Physics Express 16，061004 (2023). S.Kato, S.Ono, A.Sunahara, Y.Sato, and M.Tsukamoto, Optical properties of liquid pure copper by density functional theory, J. Phys.: Condens. Matter 35, 324004 (2023). 国際標準、開発ガイドライン 開発ガイドライン（手引き），外科手術用及び内視鏡下手術用（体腔鏡下手術に使用される） 低侵襲プラズマ止血装置開発ガイドライン２０１９（手引き），榊田 創、池原 譲，経済産業省／国立研究開発法人日本医療研究開発機構、2019/3/15.　https://www.meti.go.jp/policy/mono_info_service/healthcare/iryou/downloadfiles/pdf/44_guideline.pdf Particular requirements for the basic safety and essential performance of low energy ionized gas haemostasis equipment，IEC 60601-2-76; 2018, Medical electrical equipment; Part 2: Particular requirements for the basic safety and essential performance of low energy ionized gas haemostasis equipment (2018/4/10). 解説 布村正太，機関誌『応用物理』解説，プラズマ誘起欠陥の発生と修復：半導体デバイス製造におけるその場検出，公益社団法人　応用物理学会、2021/02/05. 加藤進，三尾典克，栗村直，「残留微小吸収を含む波長変換プロセスの熱解析」，レーザー研究「新時代の光ファイバー・光デバイス技術ー既成概念を超えるチャレンジー」特集号，48号，7巻，pp.350-355（2020） 榊田創、池原譲、低侵襲プラズマ止血機器の安全性に関する国際標準とその意義、J. Plasma Fusion Res. Vol.95, No.4 (2019)１７３‐１７９. 受賞 産業標準化事業表彰・産業技術環境局長表彰、榊田 創 (2020.10.1) 文部科学省共同利用・共同拠点名古屋大学低温プラズマ科学研究センター　第22回プラズマ材料科学賞奨励部門賞、布村正太 (2021.1.29) 第19回応用物理学会「プラズマエレクトロニクス賞」、金載浩、板垣宏知、榊田創（2021.3.17） 第12回応用物理学会「シリコンテクノロジー分科会論文賞」、布村正太、坂田功、榊田創、白谷正治、古閑一憲 (2021/3/17) ISPlasma 2023, The Poster Awards, Takashi Tsuji, Guohai Chen, Yoshiki Shimizu, Hajime Sakakita, Kenji Hata, Don N. Futaba, and Shunsuke Sakurai,“High-density growth of highly crystalline carbon nanotubes enabled by a microplasma-based multi-step CVD reactor”, Mar. 2023. 　先進プラズマプロセスグループHP-->